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產品詳情：
上下雙腔,集表面處理與蒸發鍍膜為一體,高效可靠的Indium蒸鍍助手。
技術參數
| QBT-I 技術參數 Technical Specifications (Indium Bump等制備) | |
| 高真空腔體 HV Chamber | 2個HV腔室，Loadlock離子束刻蝕及蒸鍍，極限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr |
| 排氣速率Pumping Spead | 從ATM到8E-7Torr<15min (loadlock) |
| 極限蒸發速率 High Depostion Rate | 5-12nm/s (Indium), Ф100基板鍍膜均一性<3%, 大容量坩堝 |
| 精準的樣品冷卻控制 Wafer Cooling | -10-40℃ (精度±0.1） |
| 離子束清洗 Ion Milling | 考夫曼離子源, Ф100基板刻蝕均一性<3% |
| 人機界面 HMI | 全自動化人機操作界面 |
| 安全Safety | 工業標準安全互鎖Industry Safety Interlock，報警Alarm，EMO |
測試結果
產品詳情：上下雙腔,集表面處理與蒸發鍍膜為一體,高效可靠的Indium蒸鍍助手。
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