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原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。
產(chǎn)品描述
廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)（QBT-T），設(shè)備采用雙腔體設(shè)計(jì)，腔體之間可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制，雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的獨(dú)特設(shè)計(jì)，使設(shè)備可以在平片上實(shí)現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝，設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng)，保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制，以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是先進(jìn)能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具之一。
主要技術(shù)參數(shù)
| QBT-T 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制備） | |
| 腔體 | 雙腔體設(shè)計(jì)（1個(gè)硅片PEALD腔室，1個(gè)粉末ALD腔室），每個(gè)腔體獨(dú)立控制，雙倍產(chǎn)出 |
| 等離子體 Plasma | **3kW RF自匹配電源 |
| **基板尺寸Max Wafer Size | Ф150mm (可定制） |
| 高精準(zhǔn)樣品加熱控制 Wafer Heating | RT-300±1℃ |
| 前驅(qū)體 Max Precursor | **可包括3組等離子體反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors |
| 臭氧發(fā)生器Ozone Generator | 可選配，生產(chǎn)效率15g/h |
| 人機(jī)界面 HMI | 全自動(dòng)化人機(jī)操作界面 |
| 安全Safety | 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock，報(bào)警Alarm，EMO |
廈門韞茂科技有限公司憑借在先進(jìn)材料設(shè)備業(yè)務(wù)方面多年的經(jīng)驗(yàn)，韞茂為新型芯片，半導(dǎo)體和鋰電池領(lǐng)域的新材料開發(fā)和生產(chǎn)，提供***的納米工藝設(shè)備和服務(wù)解決方案。根據(jù)您的特殊需求，我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺(tái)，保證高品質(zhì)的設(shè)計(jì)，多功能，易于使用的界面，嚴(yán)格的安全控制，以及快速的交付和服務(wù)。
雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD的工作原理介紹？雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD的使用方法？雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD多少錢一臺(tái)？雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD使用的注意事項(xiàng)雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD的說明書有嗎？雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD的操作規(guī)程有嗎？雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD有現(xiàn)貨嗎？雙腔體粉末及Wafer等離子體ALD包安裝嗎？
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