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高真空磁控濺射系統
技術參數：
1高真空腔體：2個腔體,包括負荷鎖及Sputtering,極限真空，極限壓力<5e-9 Torr
2排氣速率：從ATM到1E-7 Torr<20分鐘(負載鎖)
3樣品臺：**4寸Wafer，可加熱RT-300oC
廈門韞茂科技有限公司憑借在先進材料設備業務方面多年的經驗，韞茂為新型芯片，半導體和鋰電池領域的新材料開發和生產，提供最先進的納米工藝設備和服務解決方案。根據您的特殊需求，我們為您定制打造創新納米加工平臺，保證高品質的設計，多功能，易于使用的界面，嚴格的安全控制，以及快速的交付和服務。
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