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雙腔型超高真空蒸鍍系統
技術參數：
1高真空腔體：2個高真空腔體包括負荷鎖及Evaporation,極限真空極限壓力<2e-8 Torr
2排氣速率：ATM到3E-7 Torr<20分鐘(裝載鎖)
3基板加熱：RT-600oC
4離子束清洗：考夫曼離子源,離子能量100-600 eV， 100-1200eV; 離子束電流：:20-200mA,或100基板刻蝕
均一性<3%
5高壓電源：6-10千瓦電源，1-6源口袋
6成膜均勻性：<3%（6inch Wafer）
廈門韞茂科技有限公司憑借在先進材料設備業務方面多年的經驗，韞茂為新型芯片，半導體和鋰電池領域的新材料開發和生產，提供最先進的納米工藝設備和服務解決方案。根據您的特殊需求，我們為您定制打造創新納米加工平臺，保證高品質的設計，多功能，易于使用的界面，嚴格的安全控制，以及快速的交付和服務。
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