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技術特點：
● 可加工碳化硅晶錠（**厚度 5000mm）、帶框架的異形片及非標準的4/6/8寸SiC晶片；磨輪直徑 Φ300mm，**減薄速率 0.9μm/s, 單片磨削時間＜ 5 分鐘；
● 單主軸單工位自動減薄機，在線測量方式（測量范圍0-1800μm）/ 離線測量方式（測量范圍 0-50000μm）可選；通過手動進行上片、卸片操作和油石手動清洗承片臺。
性能指標：
| WG-1250自動減薄機 | |||
| 磨削方式 | In-feed grinding with wafer rotation通過旋轉晶圓，實現縱向切入式磨削 | ||
| 結構方式 | 1根主軸, 3個承片臺,1回轉工作臺 | ||
| 磨削尺寸 | mm | Max.?200(Φ4″-Φ8″) | |
| 磨輪直徑 | mm | Φ300 | |
| 主軸 | 類型 | - | 高頻電機內裝式空氣主軸 |
| 主軸數量 | - | 2 | |
| 定額功率 | KW | 7.5 | |
| 主軸轉速 | mm | 1000-4000 | |
| Z軸分辨率 | μm | 0.1 | |
| 承片臺 | 裝片方式 | - | 真空吸附 |
| 承片臺類型 | - | 多孔陶瓷式 | |
| 轉速 | rpm | 0-300 | |
| 承片臺數量 | 套 | 3 | |
| 承片臺清洗方式 | - | 油石手動清洗 | |
| 減薄精度 | 片內厚度偏差 | μm | ≤2 |
| 片間厚度偏差 | μm | ≤±2 | |
| 表面粗糙度Ra | nm | ≤3(#30000 wheel,SiC) | |
| 設備 | 外形尺寸WxD×H | mm | 1446×1860×1875 |
| 設備重量 | kg | 3800 | |
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