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技術特點：
● 可加工碳化硅晶錠（**厚度 5000mm）、帶框架的異形片及非標準的4/6/8寸SiC晶片；磨輪直徑 Φ300mm，**減薄速率 0.9μm/s, 單片磨削時間＜ 5 分鐘；
● 單主軸單工位自動減薄機，在線測量方式（測量范圍0-1800μm）/ 離線測量方式（測量范圍 0-50000μm）可選；通過手動進行上片、卸片操作和油石手動清洗承片臺。
性能指標：
| WG-1230自動減薄機 | |||
| 磨削方式 | 通過旋轉晶圓，實現縱向/橫向切入式磨削 | ||
| 結構方式 | 1根主軸, 2個承片臺 | ||
| 磨削尺寸 | mm | Max.?300/Max.?200(?4″-?12″) | |
| 主軸 | 主軸數量 | - | 1 |
| 主軸功率 | KW | 7.5 | |
| 主軸轉速 | rpm | 1000-4000 | |
| Z軸行程 | mm | 120 | |
| Z軸分辨率 | μm | 0.1 | |
| 承片臺 | 裝片方式 | - | 真空吸附 |
| 承片臺類型 | - | 多孔陶瓷式承片臺 | |
| 轉速 | rpm | 0-300 | |
| 數量 | 套 | 1 | |
| 承片臺清洗方式 | - | 油石手動清洗 | |
| 承片臺Y向 | Y向加工行程 | mm | 400 |
| Y向進刀速度 | mm/s | 0.01-50 | |
| Y軸快速位移速度 | mm/s | 100 | |
| Y軸*小分辨率 | mm | 0.001 | |
| 設備 | 外形尺寸WxD×H | mm | 860×1847×1741 |
| 設備重量 | kg | 約1700 | |
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