中國粉體網訊 近日，由奧趨光電技術（杭州）有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法》、由中國科學院半導體研究所牽頭起草的標準T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數測試方法》已完成征求意見稿的編制，正式面向北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員單位征求意見，非聯盟成員單位如有需要，可發送郵件。
氮化物寬禁帶半導體，包括氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）等，在藍光－紫外光電器件、高頻大功率電子器件等領域具有重要應用。AlN具有高絕緣性、高熱導率、高紫外透射率、較強的抗輻射能力以及高化學穩定性與熱穩定性等優良特性，其原料來源豐富且無污染，可廣泛應用于微電子與光電子領域。
奧趨光電技術（杭州）有限公司始創于2016年5月，是一家由半導體領域頂尖技術專家、海外歸國學者團隊領銜創立的高科技創新型企業，奧趨光電核心專注于第三代/第四代超寬禁帶半導體氮化鋁單晶晶圓襯底材料、硅基/藍寶石基/碳化硅基氮化鋁及鋁鈧氮薄膜模板、全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關產品的研發、制造與銷售。
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奧趨光電牽頭起草的T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法》描述了用擇優化腐蝕技術測試氮化鋁拋光片中位錯密度的方法，包括方法原理、儀器設備、測試條件、樣品、測試步驟、結果計算和測試報告。該文件適用于拋光加工后位錯密度小于10*7個/cm2的氮化鋁拋光片位錯密度的測試，適用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直徑氮化鋁拋光片的測試。氮化鋁外延片可參照使用。
中國科學院半導體研究所于1960年9月6日在北京成立，擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導體芯片物理與技術全國重點實驗室；一個院級實驗室——中國科學院固態光電信息技術重點實驗室。此外，還設有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、寬禁帶半導體研發中心、光電子工程中心、半導體集成技術工程研究中心和元器件檢測中心。
中國科學院半導體研究所官網
半導體所牽頭起草的T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數測試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數的測試方法，包括原理、儀器設備、測試條件、樣品、測試步驟、結果計算和測試報告。該文件適用于氮化鋁拋光片的光學質量控制和評估。氮化鋁外延片可參照使用。
參考來源：
[1] 付潤定，AlN體單晶的性質、拋光與外延研究
[2] 奧趨光電官網、第三代半導體產業技術戰略聯盟、中國科學院半導體研究所官網
（中國粉體網編輯整理/山林）
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