Expediance 系統適用于6/8 氧化硅、氮化硅、氮氧介質層、互聯金屬W層以及不定型碳膜保護層/阻擋層等薄膜沉積工藝。平臺采購多腔體架構，可以實現 6&8 英寸兼容并實現Si/SiC/GaN不同襯底材料兼容。廣泛應用于集成電路，化合物半導體，功率半導體以及MEMS等領域。

可提供基于硅烷（SiH4）體系和正硅酸乙酯（TEOS）體系的等離子增強化學氣相沉積方案（PECVD）。

滿足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等摻雜氧化硅工藝的次常壓化學氣相沉積方案(SACVD)。

可提供用做高傳導性金屬互聯金屬，金屬層間的通孔(Via）和垂直接觸空（Contact）的鎢化學氣相沉積(WCVD)。