設備型號：TEMD600
鍍膜方式：E 型電子槍
真空腔室結構：立式圓柱形側開門結構，后置抽氣系統
真空腔室尺寸：Φ600mm×H750mm
加熱溫度：室溫～ 300℃
基片臺尺寸：平板型 Φ350mm，或球罩型基片臺 ( 可選 )
膜厚不均勻性：≤ ±5.0%
考夫曼離子源：可選
蒸發源：電子槍 10KW，６穴坩堝，國產／進口（可選）， 配２套電阻蒸發
控制方式：PLC/PC（可選）
占地面積：L2500mm×W1600mm
總功率：≥ 17kW

大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備。

1. 設備一體化設計，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

2. 可用于生產線前期工藝試驗等；   

3. 實驗室制備導電薄膜、半導體膜、光學薄膜等，可同手套箱復合使用。