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高真空磁控濺射鍍膜設備JCP200品牌
北京泰科諾產地
北京樣本
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設備型號： JCP200
真空腔室結構： 立式上開蓋結構
真空腔室尺寸： Φ220mm×H300mm
加熱溫度： 室溫～ 500℃
基片臺尺寸： Φ100mm
膜厚不均勻性： Φ50mm 范圍內≤ ±5.0%
濺射靶： Φ2 英寸磁控靶 1 支 兼容 DC/RF 濺射
工藝氣體 ：1-2 路氣體流量控制
控制方式 ：PLC + 觸摸屏控制
占地面積 （主機） ：L600mm×W800mm×H1700mm
總功率 ：≥ 6kW
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