設(shè)備型號：ZHD400

鍍膜方式：多源蒸發(fā)鍍膜

真空腔室結(jié)構(gòu)：立式方形前開門結(jié)構(gòu)

真空腔室尺寸：L400mm×W440mm×H450mm

加熱溫度：室溫～ 300℃

基片臺尺寸：120mm×120mm

膜厚不均勻性：≤ ±5.0%

蒸發(fā)源：2-3 組金屬源 /2-3 組有機源

控制方式：PLC + 觸摸屏控制

占地面積：主機 L1710mm×W850mm×H1850mm

總功率：≥ 8kW

大專院校、科研院所及企業(yè)進行薄膜新材料的科研與小批量制備

1. 設(shè)備一體化設(shè)計，占地面積小，性價比高，性能穩(wěn)定，使用維護成本低；

2. 設(shè)備配備多組蒸發(fā)源，兼容有機蒸發(fā)與無機蒸發(fā) , 多源共蒸獲得復(fù)合膜。設(shè)計專業(yè)，功能強大，性能穩(wěn)定；

3. 適用于實驗室制備金屬單質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、有機膜，也可用于生產(chǎn)線前期工藝試驗等。