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介紹：硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延是在硅襯底上生長氮化鎵薄膜的技術，結合了GaN的高性能和硅襯底的低成本優勢。
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應用：用于高效電源轉換器、電動汽車和工業電機驅動的功率電子器件；適用于5G基站、雷達和衛星通信等射頻器件；用于高亮度LED，提升發光效率等。
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硅基氮化鎵外延襯底Tempalte（2~8inch） | ||||
襯底直徑 | 50.8mm | 100mm | 150mm | 200mm |
硅襯底厚度 | 1000μm | 1000μm | 1000μm | 1150μm |
硅襯底表面 | Polished/Etched | |||
硅襯底晶向 | P(111) | |||
外延導電類型 | N-type | P-type | UID | |
外延摻雜元素 | Si-doping | Mg-doping | Undoped | |
外延層厚度 | ＜5 um | |||
外延層厚度均勻性 | ≤5% | |||
外延層表面 | RMS＜2nm | |||
外延結構圖 | ||||
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