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介紹：磷化銦（InP）是一種III-V族化合物半導體，具有直接能隙（1.34 eV）、高電子遷移率和優異的光學性能。其低光損耗和高帶寬特性使其成為高速電子和光電子器件的重要材料。
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應用：磷化銦廣泛應用于光通信、激光器、光探測器和高速電子器件，特別適用于1.3μm和1.55μm波長的光纖通信系統。它還用于雷達、衛星通信和高效光伏電池，在高頻和高功率應用中表現出色。
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磷化銦單晶襯底（2~4inch） | |||
直徑 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm |
厚度 | 350μm | 625μm | 625μm |
表面晶向 | <100> ± 0.5° | ||
正面狀態 | Epi-polished | ||
反面狀態 | SSP:Etched; DSP:Epi-polished | ||
總厚度偏差TTV | <10μm | ||
彎曲度Bow | <15μm | ||
邊緣去除 | ≤3 mm | ||
導電類型 | N-Type | P-Type | Insulating |
摻雜元素 | S-doping | Zn-doping | Fe-doping |
電阻率 | N/A | N/A | >0.5E7ohm-cm |
位錯密度(EPD) | ＜5000/cm2 | ＜500/cm2 | ＜5000/cm2 |
載流子濃度 | (0.8-8)*E18/cm3 | (0.8-8)*E18/cm3 | N/A |
電子遷移率 | 1000~2500cm2/v.s | 50~100cm2/v.s | >1000cm2/v.s |
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