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介紹：碳化硅襯底是第三代半導體材料，屬于寬禁帶半導體材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料，硬度僅次于金剛石。它具有高硬度、高熱導率、高擊穿電場等優異特性。
應用：新能源汽車領域：在電動汽車的電驅系統、車載充電系統（OBC）、車載DC/DC及非車載充電樁等組件中廣泛應用。例如在電動車逆變器中，使用4H-N型導電碳化硅晶片制成的功率器件，可使整車能耗更低、尺寸更小、充電更快、續航里程更長。
?產品規格書
碳化硅4H-N導電型單晶襯底（2~8英寸） | ||||
直徑 | 50.8mm | 100.0mm | 150.0mm | 200.0mm |
厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | 500μm |
表面晶向 | Off-Axis：4°toward <11-20>±0.5° | |||
主參考面晶向 | Parallel to <11-20>±1° | <1-100>±1° | ||
主參考面長度 | 16.0mm | 32.5mm | 47.5mm | Notch |
次參考面位置 | Silicon face up: 90.0? CW from Primary ± 5. | N/A | N/A | |
次參考面長度 | 8.0mm | 18.0mm | N/A | N/A |
電阻率 | 0.014～0.028Ω?cm | |||
正面狀態 | Si-Face：CMP,Ra<0.2nm | |||
反面狀態 | C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm | |||
鐳刻碼面 | Back side：C-Face | |||
總厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤20μm |
彎曲度BOW | ≤25μm | ≤30μm | ≤40μm | ≤60μm |
翹曲度WARP | ≤30μm | ≤40μm | ≤60μm | ≤80μm |
邊緣去除 | ≤3 mm | |||
?
?產品性能表
碳化硅單晶 Silicon carbide | |
晶體結構 | 六方晶體 |
禁帶寬度(eV) | 3.26eV |
熔點（℃） | 2730℃ |
莫氏硬度(mohs) | 9.2 |
熱導率(W·cm-1·℃-1) | 4.9W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(℃-1) | 4.7×10-6 |
晶格常數(nm) | a=0.3076 c=0.5048 |
電子遷移率（cm-2·V-1·s-1） | 720a 650c |
擊穿電場(MV·cm-1) | 3.1 |
JFM指數（power） | 410 |
BFM指數(SW) | 290 |
BHFM指數(RF) | 34 |
折射率 | 2.6767～2.6480 |
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