3英寸、4英寸、6英寸、8英寸真空快速退火爐系統。

應用：

RTA（快速熱退火）； RTO（快速熱氧化）；注入退火；擴散；化合物半導體退火；滲氮；滲硅； 結晶化與致密化；

特點：

適用于2英寸~8英寸晶圓，高可靠性和低擁有成本。不銹鋼冷壁腔體技術； 高工藝重復性，超清潔無污染環境、 高冷卻速率低記憶效果。 可實現高達10-6 mbar的高真空環境。 高溫計和熱電偶控制，高速數字PID溫度控制器，邊緣高溫計視點保障了化合物半導體和小樣品的基座的加強溫度控制。

使用特點：

溫度范圍：RT to 1000°C；

斜坡速率：**250°C/s；

氣體混合功能：使用質量流量控制器控制；

真空范圍：大氣壓～10-6 Torr，可配置分子泵；

本系統提供全電腦控制，應用控制軟件兼容window系統。