儀器簡介： 美國高分辨深能級瞬態譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段！測試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關聯模式）、光激發模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態譜、Trap profiling、俘獲截面測量、I/V，I/V(T) 、C/V， C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子誘導瞬態譜、DLOS。

測試根據半導體P-N結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C~t）技術和深能級瞬態譜的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布。

也可用于光伏太陽能電池領域中，分析少子壽命和轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

感謝中國科學院寧波材料研究所，國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心南昌大學西安電子科技大學成為此設備的專業用戶！！

此設備在全球用戶眾多，比歐洲設備性能價格比高，是研究材料深能級領域的理想工具！！

系統配置:

DLTS數據采集及分析軟件 (DLTS， ODLTS， DDLTS)

Boonton 7200型快速電容測試器

自動電容零點界面

數據采集卡及中斷箱

ODLTS穿導件

機柜安裝硬件及電纜

設備機柜

GPIB 接口卡

電腦是雙核， 2GB 內存， 19”顯示器. USB 接口， CD書寫用于數據傳輸.

可調節探針(2)

閉環液氦制冷機 (25-700K)

溫度控制器

電容測試器指標:

型號: Boonton 7200

電容零點界面: Yes

全自動電容補償: Yes

全自動范圍設置: Yes

響應時間: ~25μsec

補償范圍: 256pF

測試頻率: 1MHz

測試信號級別: 15， 30， 50， 100 mV

電容范圍: 2000pF

靈敏度: 1fF

電壓范圍: +100V to –100V (Boonton)

+10V to –10V (數據采集卡)

靈敏度: 1mV (電壓小于 20V時)， 10mV (電壓大于 20V時)

0.3mV (數據采集卡)

脈沖寬度: 15ms to >0.1sec (Boonton內置偏壓)

5μs to >0.1sec (數據采集卡)

脈沖幅度: 到 200V， slew rate <20v>

到 20V， slew rate of 20V/μs (數據采集卡)

電流: 5mA

數據采集卡瞬時記錄:

采樣速率: 可至 1μs. 一般使用 >50μs

采樣次數: >10，000.

記錄分辨率: 50ns暫時分辨率， 優于 50aF 電容分辨率

過濾: 全自動檢測及正弦噪音消除