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儀器簡介：
光刻機/紫外曝光機 (Mask Aligner)
原產國: 韓國MIDAS公司，**能做到圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻機，高性價比
型號：MDA-400M， MDA-60MS
又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統，光刻機，紫外曝光機等；
MIDAS為全球**的半導體設備供應商，多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發與生產，并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域；該公司是目前世界上*早將光刻機商品化的公司之一，擁有雄厚的技術研發力量和設備生產能力；并且其設備被眾多**企業、研發中心、研究所和高校所采用；以優秀的技術、精湛的工藝和良好的服務，贏得了用戶的青睞。
感謝南開大學，中科院半導體所，中科院長春應化所，中科院物理所，浙江師范大學使用此設備做課題研究！！
此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比**的型號，達到歐美品牌的對準精度，CCD顯示屏對準更為方便，液晶觸摸屏操作，采用歐司朗紫外燈，壽命長。整機效果皮實耐用，正常使用3年內不會出問題！！
目前，上海藍光已采用該公司全自動型光刻機做LED量化生產，證明其品質達到LED產業標準要求！！而且已經成功提供圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻工藝設備
技術參數：
- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；
- 光束均勻性：<±3%；
- 曝光時間可調范圍：0.1 to 999.9秒；
- 對準精度：0.6-1微米
- 分辨率：1微米；
- 光束輸出強度：15-25mW/cm2；
| 項目 | 技術規格 | |
| 曝光系統(Exposure System) MDA-400M型 | 光源功率 | 350W UV Exposure Light source with Power supply |
| 分辨率 | - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer ) - Hard Contact : 1um - Soft contact : 2um - 20um Proximity: 5um | |
| **光束尺寸 | 4.25×4.25 inch | |
| 光束均勻性 | ≤ ±3% (4inch standard) | |
| 光束強度 | 15~20mW/cm2(365nm Intensity) | |
| 曝光時間可調整 | 0.1 to 999.9 sec | |
| 對準系統(Alignment System) | 對準精度 | 1um |
| 對準間隙 | 手動調節(數字顯示) | |
| 光刻模式 | 真空， 硬接觸， 軟接觸，漸進（Proximity） | |
| 卡盤水平調節 | 楔形錯誤補償Wedge Error Compensation | |
| 真空卡盤移動 | X， Y: 10 mm， Theta: ±5° | |
| Z向移動范圍 | 10mm | |
| 接近調整步幅 | 1um | |
| 樣品(Sample) | 基底 Substrate | 2， 3， 4 inch |
| 掩模板尺寸 | 4 and 5 inch | |
| Utilities | 真空 Vacuum | < -200 mbar (系統包含真空泵) |
| 壓縮空氣 CDA | > 5Kg/cm2 | |
| 氮氣 N2 | >3Kg/cm2 | |
| 電源 Electricity | 220V， 15A， 1Phase | |
| 顯微鏡及顯示器 CCD and Monitor | Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x; |
主要特點：
- 光源強度可控；
- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；
- 系統控制：手動、半自動和全自動控制；
- 曝光模式：真空接觸模式(接觸力可調)，Proximity接近模式， 投影模式；
- 真空吸盤范圍可調；
- **技術：可雙面對準，可雙面光刻，具有IR和CCD模式
-兩個CCD顯微鏡系統，**放大1000倍，顯示屏直接調節，比傳統目鏡對準更方便快捷，易于操作。
- 特殊的基底卡盤可定做；
- 具有楔形補償功能；
暫無數據！
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