中國粉體網訊 電子電器工業的高速集成化促使半導體元器件朝著小型化、大電壓、大電流、高功率密度的方向發展，這對元器件的組裝和封裝材料，特別是提供電絕緣和散熱功能的脆性陶瓷基板提出了很大的挑戰。常用的陶瓷基板材料有BeO、Al2O3以及AlN。其中，BeO粉末含有劇毒，而Al2O3陶瓷基板熱導率較低（<30 W/（m·K）），AlN熱導率雖然可達到270 W/（m·K）以上，抗彎強度卻小于400 MPa，以上缺陷制約了三者在尖端半導體領域的應用。而氮化硅（Si3N4）作為一種難得的兼具高本征熱導率（~320 W/（m·K））和優異力學性能的結構陶瓷材料，常溫下非常穩定。通過調節燒結助劑的成分比例，可獲得幾倍于AlN抗彎強度（>800 MPa）的氮化硅陶瓷。潛在的高熱導和優異的力學性能表現使氮化硅被視為當今時代最熱門的半導體陶瓷基板封裝材料。Si3N4陶瓷基板廣泛應用于高性能電子器件中。
富樂華研究院經過多年的技術攻關，成功實現了Si3N4陶瓷基板從材料研發到設備工藝的全流程國產化，打破了對進口技術的依賴，推動了國產功率半導體產業的自主化發展。特別是推出的110W導熱氮化硅陶瓷基板，首次在國內實現了高導熱性與抗彎折性的結合，填補了國產材料在高性能功率半導體領域的空白。該技術的成熟，為提升功率半導體器件效率與可靠性提供了堅實基礎。該產品將在新能源汽車、高鐵、航空航天、電力電網等行業廣泛應用，替代進口技術，推動國內產業的自主研發與生產，助力國產材料技術的突破，支持制造強國戰略目標的實現。
半導體及電子信息產業的快速發展對核心材料的性能提出了更高要求。陶瓷基板作為功率半導體器件的關鍵封裝材料，其導熱性能、機械強度、可靠性和精密程度直接決定了終端產品的性能與壽命。針對材料研發、制備工藝、檢測技術、應用場景等核心議題，中國粉體網將于2025年7月29日在江蘇無錫舉辦2025高性能陶瓷基板關鍵材料技術大會。屆時，江蘇富樂華功率半導體研究院有限公司戰略規劃部部長柳珩將作題為《110W氮化硅陶瓷基板：引領國產高導熱與抗彎折技術新紀元》的報告，報告中就110W氮化硅陶瓷基板的優異性能及廣泛應用進行介紹。
專家簡介：
柳珩，現任富樂華功率半導體公司戰略規劃部及新產品營銷部負責人，專注于功率半導體領域，積累了豐富的研發經驗和市場戰略規劃背景。
參考來源：
朱允瑞等，高導熱氮化硅陶瓷基板影響因素研究現狀
（中國粉體網編輯整理/山林）
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