中國粉體網訊 近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所副研究員曾慶輝課題組提出一種由于CsPbBr3和Cs4PbBr6的結構轉變誘導的高效熒光鈣鈦礦納米晶，所制備的鈣鈦礦納米材料的熒光量子效率可達99%，并將這種高熒光量子產率的材料應用于LED器件方面，該工作對于鈣鈦礦量子點在光電器件領域的應用具有十分重要的意義。該成果發表在英國皇家化學學會的Journal of Materials Chemistry C 雜志上（J. Mater. Chem. C，2019，7，7548--7553），并被雜志選為首頁封面文章。該文章的第一作者是在讀博士研究生蘇瑩，通訊作者是曾慶輝。
全無機鈣鈦礦納米材料因其優異的光學性能（如較高的熒光量子產率、激發譜線寬、較窄的熒光發射光譜、發射光譜可調等優異的光學性能），在LED、激光器和太陽能電池等光電領域得到廣泛的應用研究。隨著全無機鈣鈦礦量子點的快速發展，鈣鈦礦家族如Cs4PbBr6，Cs2PbBr4 以及CsPb2Br5等鈣鈦礦衍生物受到科研工作者越來越多的關注。近幾年，研究主要集中在“非發光”的Cs4PbBr6納米晶和“發光”的CsPbBr3量子點的化學轉化方面。但迄今為止，這種轉化過程中存在的明顯熒光增強的作用及其背后的深層機制并未得到解釋。
曾慶輝等科研人員通過添加ZnBr2作為誘導劑，實現了由CsPbBr3量子點向Cs4PbBr6納米晶轉化，并解釋了在這種轉化過程中存在的明顯的熒光增強作用（CsPbBr3量子點的熒光量子產率由58％提高到99％）及其背后的深層機制。同時，觀察到Cs4PbBr6納米晶的精準的發光峰位置（336nm），解決了之前存在的爭議問題。
通過添加ZnBr2作為誘導劑的方法實現了從CsPbBr3量子點逐漸轉變為Cs4PbBr6納米晶，并且光致發光峰的位置保持在517nm而沒有太多偏差。在從CsPbBr3量子點到Cs4PbBr6納米晶的轉化過程中，剩余的CsPbBr3量子點的熒光量子產率仍然保持高達近99％，這是由于CsPbBr3量子點中發生的“適者生存”過程和非輻射躍遷減少的過程。有趣的是，當將誘導劑含量增加至95％時，得到了近似單相的Cs4PbBr6納米晶結構。通過監測它的吸收和發射光譜，獲得了336 nm的發射峰，這與之前的公開發表的理論研究一致，從而表明Cs4PbBr6納米晶的精確發光峰位置。進一步直接闡明，先前在CsPbBr3和Cs4PbBr6共存的混合納米晶結構中看到的綠色發射峰僅來自CsPbBr3量子點的發光而不是Cs4PbBr6納米晶。通過與香港中文大學的研究人員合作，基于優化了的CsPbBr3高熒光量子點制備了綠光LED器件，其亮度的最大值高達1941.6 cd/m2，最大外量子效率（EQE）約為1.21％，這為未來獲得高效熒光CsPbBr3鈣鈦礦量子點和相應的富有成效的光電器件開辟了新的途徑。
該工作得到吉林省科技發展計劃項目的支持。
在ZnBr2誘導劑作用下CsPbBr3和Cs4PbBr6鈣鈦礦納米晶結構轉換的示意圖
（中國粉體網編輯整理/江岸）
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