SiC長晶設備

推薦SiC邁進12英寸！三家企業正布局

中國粉體網訊 碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，其晶圓尺寸的演進一直是產業降本增效的關鍵路徑。當前產業動態呈現出“6英寸主流、8英寸過渡、12英寸突破”的階梯式發展格局，技術迭代速度遠超預期。浙江晶瑞：實現12英寸[更多]