生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備是針對(duì)企業(yè)和高校實(shí)驗(yàn)室及小試線研發(fā)的高性能、高效率的磁控濺射裝備，該超高真空版本提供更高的濺射室真空度，兼具高性能薄膜的制備和小批量量產(chǎn)的需求。MSI-100-UHV型磁控濺射設(shè)備極限真空度優(yōu)于1×10-8mbar，包括進(jìn)樣室和濺射室，可滿足8inch晶圓上高精度納米級(jí)材料的生產(chǎn)制備需求。

性能參數(shù)

六大特色  懂你所需

企業(yè)/高校性能之選

測(cè)試案列

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，高校實(shí)驗(yàn)室和企業(yè)對(duì)于具有高性能、低成本、高效率等優(yōu)點(diǎn)的磁控濺射裝備有著巨大需求。其中設(shè)備需要滿足在8inch晶圓上制備薄膜的均勻性。
如圖是8寸晶圓上鍍鈦膜均勻性測(cè)試。
（沉積條件：4寸靶傾斜沉積8寸晶圓，采用直接濺射或增大靶材磁村可提高至2%以內(nèi)）

8寸晶圓

將750μm的單拋晶圓裂片成1cm×1cm的小樣，取九片，去邊1cm沿八寸晶圓直徑固定好，進(jìn)行磁控濺射鍍鈦膜，如下圖所示。測(cè)試發(fā)現(xiàn)晶圓片內(nèi)均勻性＜3%。

均勻性測(cè)試結(jié)果