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設備特點
●工件臺：圓周旋轉或者掃描運動，刻蝕角度可調，刻蝕均勻性高，兼容刻蝕和拋光功能
●工件臺采用水冷，確保晶片低溫刻蝕
●可配置等離子體中和槍，確保晶片表面無電荷積累
●可配置法拉第測束裝置，確保工藝參數的可重復
●真空系統分子泵/低溫泵可選
技術指標
●工件臺
適用晶片尺寸：4"～8"，兼容不規則方片
圓周旋轉/往復掃描運動
●離子源：考夫曼離子源
離子束能量：0eV～1000eV連續可調
束流 ：**200mA （圓形）或**300mA （條形）
●刻蝕均勻性 ：片內±5%，片間±3%
應用范圍
用于在基板表面拋光或材料的去除，尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、NiCr等
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