分辨率：
4.0 nm探測器：
背散射電子加速電壓：
5 kV、10 kV、15 kV、20 kV電子槍：
集中燈箱電子光學放大：
×25～×250,000（顯示器倍率）光學放大：
×10～×100,000（照片倍率）看了日立TM4000Ⅱ掃描電鏡的用戶又看了
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產品介紹
日立TM4000Ⅱ掃描電鏡獨特的低真空系統使得樣品不需任何處理即可快速進行觀察。 TM4000Ⅱ優化提供5kV、10kV、15kV、20KV四種不同電壓下的觀察模式，每種模式下電流4檔可調，并配備4分割背散射探測器，可采集四個不同方向的圖像信息，對樣品進行多種模式成像。具有全新的SEM-MAP導航功能，同時，電鏡圖片可以報告形式導出。配備大型樣品倉，可容納**樣品直徑80mm，厚度50mm。
TM4000PlusⅡ是在TM4000Ⅱ基礎上增加高靈敏度低真空二次電子探頭UVD，該探頭在低真空環境下具有很好的成像質量。TM4000PlusⅡ可將二次電子圖像和背散射電子圖像疊加并實時進行顯示，獲得*多的樣品信息。TM4000PlusⅡ可以選配Multi Zigzag功能，可實現大范圍自動連續拍照和自動拼圖功能。
主要參數：
1. 觀察條件:5kV/10kV/15kV/20kV（均四檔可調）、EDX
2. 放大倍率：10×~100000×
3. 觀察模式：導體、標準模式，消除電荷模式
4. 探測器：4分割背散射探測器、低真空二次電子探測器（TM4000Plus）
應用領域：生命科學、材料科學、化學、電子制造、食品工業
| 項目 | TM4000PlusII | TM4000II |
|---|---|---|
| 倍率 | ×10～×100,000（照片倍率） ×25～×250,000（顯示器倍率） | |
| 加速電壓 | 5 kV、10 kV、15 kV、20 kV | |
| 圖像信號 | 背散射電子 二次電子 復合圖像（背散射電子+二次電子） | 背散射電子 |
| 真空模式 | 導電體（僅背散射電子） 標準 靜電減輕 | 標準 靜電減輕 |
| 樣品可移動范圍 | X：40 mm Y：35 mm | |
| **樣品尺寸： | 80 mm（直徑） 50 mm（厚度） | |
| 電子槍 | 集中燈箱(Pre-Centered Catridge Filament) | |
| 檢測器 | 背散射電子：高感度4分割 背散電子檢測器 二次電子：高感度低真空 二次電子檢測器 | 背散射電子：高感度4分割 背散射電子檢測器 |
| 排氣系統 （真空泵） | 渦輪分子泵：67 L/s 1臺 隔膜泵：20 L/min | |
| 尺寸與重量 | 主體：330（寬度）×614（進深）×547（高度） mm、54 kg（附帶馬達驅動的樣品臺） 主體：330（寬度）×617（進深）×547（高度） mm、54 kg（附帶手動樣品臺） 隔膜泵：144（寬度）×270（進深）×216（高度） mm | |
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