中國粉體網訊 近日，滁州市人民政府發布了關于《滁州歐美克新材料科技有限公司先進氮化硅陶瓷材料產業化項目環境影響報告表》。
電子電器工業的高速集成化促使半導體元器件朝著小型化、大電壓、大電流、高功率密度的方向發展，這對元器件的組裝和封裝材料，特別是提供電絕緣和散熱功能的脆性陶瓷基板提出了很大的挑戰。常用的陶瓷基板材料有BeO、Al2O3以及AlN。其中，BeO粉末含有劇毒，而Al2O3陶瓷基板熱導率較低（<30 W/（m·K）），AlN熱導率雖然可達到270 W/（m·K）以上，抗彎強度卻小于400 MPa，以上缺陷制約了三者在尖端半導體領域的應用。
氮化硅（Si3N4）作為一種難得的兼具高本征熱導率（~320 W/（m·K））和優異力學性能的結構陶瓷材料，常溫下非常穩定。通過調節燒結助劑的成分比例，可獲得幾倍于AlN抗彎強度（>800 MPa）的氮化硅陶瓷。潛在的高熱導和優異的力學性能表現使氮化硅被視為當今時代最熱門的半導體陶瓷基板封裝材料。
高性能氮化硅陶瓷目前廣泛應用于機械、航天航空等各領域。在此背景下，滁州歐美克新材料科技有限公司擬投資20000萬元，環保投資133萬元，建設先進氮化硅陶瓷材料產業化項目。
據了解，在2025年5月份，該公司公開了“一種基于氮化硅陶瓷軸承球的制備工藝及制備系統”的發明，涉及氮化硅陶瓷軸承球技術領域，包括以下步驟：S1，原料混合：采用濕法球磨對高純度氮化硅粉末、燒結助劑以及增韌劑進行混合以得到混合料A；S2，干壓成型：對混合料A進行擠壓成型，以使得混合料A形成素坯；S3，氣壓燒結：在氮氣氣氛下，將素坯快速升溫至1800℃，保溫15‑35min，再降溫至1600℃后保溫8小時以上，以抑制晶粒生長，獲得細晶結構。本發明可以有效提升氮化硅陶瓷軸承球內部的密度分布，通過密度均勻以使得氮化硅陶瓷軸承球在高速旋轉時更加穩定，減少了不平衡現象，極大的提升軸承在高速旋轉時的穩定性。
項目主要建設1棟生產車間，包括生產區、辦公區、原料區、產品庫等公用輔助設施。擬建項目建設完成后，可年生產氮化硅陶瓷軸承球100噸、結構件50噸、基板20萬片。
參考來源：
1.國家知識產權局、滁州市人民政府
2.朱允瑞等，高導熱氮化硅陶瓷基板影響因素研究現狀
（中國粉體網編輯整理/山林）
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