中國粉體網訊 在半導體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個領域。近年來，我國積極發展碳化硅產業，在8英寸、12英寸取得了喜人成績，在國際市場備受認可。
首次中國企業獲獎！天岳先進獲半導體行業國際大獎
近日，第31屆半導體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京隆重舉行。中國半導體材料領域的領軍企業天岳先進憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的革命性突破，力壓日本頂尖半導體材料巨頭三井化學和三菱材料等強勁對手，榮獲由日本權威半導體媒體《電子器件產業新聞》頒發的“半導體電子材料”類金獎。
據了解，這不僅是中國企業在該獎項設立31年以來的首次問鼎，更是該獎項歷史上首次將最高榮譽授予碳化硅襯底材料技術。
半導體年度獎由日本最具公信力的半導體產業專業媒體《電子器件產業新聞》主辦，旨在從全球范圍內表彰在設備、器件及材料三大領域的杰出技術創新，其獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業權威性著稱。在歷屆獲獎企業名單中，英偉達、索尼、美光等國際產業巨頭，以及東芝、住友電工、昭和電工等日企，是這份“黃金榜單”中的常客。
天岳先進此次歷史性獲獎的核心驅動力，源于其長期聚焦于碳化硅襯底材料技術，并在此領域實現了持續的創新突破。天岳先進長期深耕襯底材料研發，其在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環節取得的一系列突破性進展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到了國際領先水平，成為全球半導體材料領域的創新標桿。
超芯星的碳化硅長晶技術獲國際金獎！
近日，在第50屆日內瓦國際發明展上，江蘇超芯星半導體有限公司（簡稱：超芯星）憑借自主研發的碳化硅長晶技術斬獲金獎！
超芯星是國內領先的第三代半導體碳化硅材料全產業鏈企業，專注于碳化硅（SiC）襯底全產業鏈研發與生產。自公司落地南京后，超芯星研發團隊不斷攻克難關，先后突破了低應力、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術等多項關鍵技術難點，形成了一整套具有自主知識產權的工藝，覆蓋設備、粉料、晶體生長晶體加工及晶片檢測全流程。
目前，碳化硅長晶技術主要有液相法、物理氣相法（PVT）和高溫化學氣相沉積法（HTCVD）三類，每種方法都有其獨特的工藝步驟、優點和挑戰。其中HTCVD法具備連續性供料的先進特性，能夠確保生產過程的穩定與高效；所產出晶體的純度極高，極大地提升了碳化硅材料的性能與質量；同時，其生長速度之快也為大規模產業化應用鋪就了堅實道路。
而據超芯星半導體創始人、CEO劉欣宇介紹，如今超芯星已經成為全世界‘唯三’、全國唯一掌握HTCVD創新技術的創業公司，也是國際少數幾家能夠批量供應碳化硅襯底片的企業之一。
來源：天岳先進、南京日報
（中國粉體網編輯整理/空青）
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