中國粉體網訊 據浙大杭州科創中心官微消息，浙江大學杭州國際科創中心（簡稱科創中心）先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室的研究人員們經過近兩年的努力，首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶！
若要將碳化硅單晶厚度顯著提升，必須解決晶體的溫度梯度和應力控制等難題。為了解決難題，聯合實驗室開展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長超厚碳化硅單晶的研究。
（a）提拉式物理氣相傳輸法生長半導體碳化硅（SiC）單晶的示意圖；（b）100 mm厚半導體SiC單晶。
“我們通過提拉籽晶及已經生長的晶體，使晶體生長面始終處于一個合適的徑向溫度梯度下，形成有利于降低晶體應力的表面形態。同時維持晶體生長面與粉料之間的合適軸向溫度梯度，防止隨著晶體厚度的增加，晶體生長速率大幅下降。”徐嶺茂研究員解釋道。
采用提拉式物理氣相傳輸法，聯合實驗室成功生長出直徑為6英寸（即150 mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100 mm。測試加工而得的襯底片的結果顯示，該超厚碳化硅單晶具有單一的4H晶型（圖2a）、結晶質量良好（圖2b），電阻率平均值不超過～ 30 mΩ·cm。目前研究團隊已就相關工作申請了2項發明專利。
（a）拉曼散射光譜；（b）(0004)面的X射線搖擺曲線。
另外，也據浙大杭州科創中心官微消息，4月24日，杭州市創業投資協會聯合微鏈共同發布了《2024杭州獨角獸&準獨角獸企業榜單》。浙江大學杭州國際科創中心（簡稱科創中心）首批自主孵育的科學公司杭州乾晶半導體有限公司被認定為“杭州準獨角獸企業”！
成立3年來，乾晶半導體圍繞半導體碳化硅材料的應用研究和成果轉化，實現了關鍵核心技術的重大進展并成功開啟產業化進程，是集半導體碳化硅單晶生長、晶片加工和設備開發為一體的高新技術企業。
公司的核心團隊來自硅及先進半導體材料全國重點實驗室，并與科創中心先進半導體研究院成立聯合實驗室，共同推動碳化硅襯底材料的產業化任務，助力我國第三代半導體產業的發展。
去年10月，乾晶半導體中試線主廠房結頂。今年，6/8英寸碳化硅單晶生長和襯底加工的中試基地將正式運行，為今后實現6-8寸碳化硅襯底批量供給能力奠定堅實的基礎。
（中國粉體網編輯整理/空青）
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