浙大杭州科創中心

推薦國內首次厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

中國粉體網訊 據浙大杭州科創中心官微消息，浙江大學杭州國際科創中心（簡稱科創中心）先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室的研究人員們經過近兩年的努力，首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶！若要將碳化硅單晶厚度顯著提升[更多]