中國粉體網訊 1月11日，廣東省能源局發布廣東芯粵能半導體有限公司“面向車規級和工控領域的碳化硅芯片制造項目”節能報告的審查意見：項目采用的主要技術標準和建設方案符合國家相關節能法規及節能政策的要求，原則同意該項目節能報告。
芯粵能碳化硅項目占地150畝，一期投資35億元，建成年產24萬片6英寸碳化硅晶圓的生產線；二期建設年產24萬片8英寸碳化硅晶圓的生產線。
產品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應用于新能源汽車、充電樁、工業電源、智能電網以及光伏發電等領域，達產后年產值將達100億元。
該公告顯示，此項目主要建設內容包括：建設年產24萬片6英寸碳化硅基晶圓芯片生產線，主要建構筑物包括生產廠房、生產調度廠房、研發廠房、綜合動力站、綜合倉庫、硅烷站、化學品庫、廢水處理站、危險品庫、大宗氣站等，主要設備包括光刻機、涂膠顯影機、刻蝕機、烘箱、高溫氧化爐管、高溫激活爐管、清洗機、冷水機組、純水制備系統、燃氣鍋爐等。
項目能耗量和主要能效指標：項目建成投產后，年綜合能耗不高于10277噸標準煤（當量值），其中年電力消耗量不高于6450萬千瓦時、天然氣消耗量不高于175萬立方米；項目集成電路晶圓制造單位產品電耗不高于0.72千瓦時/平方厘米。
傳統硅材料在 MOSFET、IGBT、功率 IC 等領域的 器件性能已經逐漸接近極限，已無法適應新興市場快速發展的變革需要，基于寬禁帶半導體 SiC 制造的功率器 件具有更為優越的物化性能。通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延，即可得到適用于新能源汽車、光伏、 交通軌道等領域的功率器件。它們相較于硅基器件具有更高的工作溫度、擊穿電壓以及優越的開關性質，其開 關頻率和功率頻率都輕易突破了傳統材料的上限，因此廣泛用于新能源汽車等領域。
國產碳化硅MOSFET晶圓
芯粵能定位車規級和工控級兩大領域的功率平臺和產品，正符合現在市場的發展趨勢和需求。2022年11月21日，芯粵能碳化硅芯片制造項目潔凈室全面啟用，標志著芯粵能項目土建施工進入尾聲，緊接著就是工藝設備的有序搬入和安裝調試，為2023年初項目試投產做準備。
據調研，芯粵能已開始對國內外襯底與外延產品做調研及購買，為后續公司芯片產品驗證和產線通線做進一步準備！
來源：半導體前沿、廣東省發改委官網
（中國粉體網編輯整理/空青）
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