中國粉體網(wǎng)訊 俄羅斯托木斯克理工大學(xué)發(fā)布消息稱，該校與德國、委內(nèi)瑞拉的科學(xué)家最近證實(shí)了二維半導(dǎo)體硒化鎵在空氣中的易損性，該重要發(fā)現(xiàn)有助于制造硒化鎵基超導(dǎo)納米電子產(chǎn)品。研究結(jié)果發(fā)表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)雜志上。
現(xiàn)代材料學(xué)中，二維材料（即只有一個(gè)或幾個(gè)原子層厚的薄膜材料）的研究是一個(gè)具有前景的領(lǐng)域，它具有優(yōu)異的導(dǎo)電性，強(qiáng)度高，可以成為超小尺寸（納米電子產(chǎn)品）現(xiàn)代電子產(chǎn)品的主要器件。光電產(chǎn)品需要使用能夠在光照射時(shí)產(chǎn)生大電子流的新材料，有效解決該問題的二維半導(dǎo)體之一就是硒化鎵。
國際一些科研小組曾經(jīng)嘗試制造硒化鎵基電子設(shè)備，雖然對該材料進(jìn)行了大量的理論研究，但該材料在現(xiàn)實(shí)裝置中的應(yīng)用還不明朗，托木斯克理工大學(xué)激光與光學(xué)技術(shù)的科研組成功揭示了其中的原因。他們通過光組合散射光譜法和XPS方法研究了硒化鎵，確定鎵和氧之間存在化學(xué)鍵，硒化鎵一接觸空氣就會迅速被氧化，從而失去生產(chǎn)納米電子設(shè)備所必需的導(dǎo)電性能。 進(jìn)一步研究硒化鎵氧化敏感性可以研究出保護(hù)和保存硒化鎵光電性能的解決方案。
