硒化鎵

推薦俄學者發現空氣對納米電子半導體有致命影響

中國粉體網訊 俄羅斯托木斯克理工大學發布消息稱，該校與德國、委內瑞拉的科學家最近證實了二維半導體硒化鎵在空氣中的易損性，該重要發現有助于制造硒化鎵基超導納米電子產品。研究結果發表在《Semiconductor Science[更多]