浙大科創先進半導體研究院

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中國粉體網訊 近日，浙大科創先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯合實驗室經過系列技術攻關，在大尺寸碳化硅（SiC）單晶生長及其襯底制備方面取得突破，成功生長出厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠，并加工獲得了8英寸碳化硅襯底[更多]