碳化硅切割技術

推薦SiC單晶片切不好，后面都“白扯”

中國粉體網訊 在碳化硅產業鏈中，由于襯底占器件總成本的47%，因此降低晶體缺陷，提升襯底良率是助推實現碳化硅大規模產業化應用的主要途徑，良率提升重點在于晶體生長與切割環節。目前行業內主要以高純碳粉、高純硅粉為原料合成碳化硅粉[更多]