碳化硅晶體生長

推薦高品質碳化硅單晶制備需要注意哪幾點？

中國粉體網訊 當前碳化硅單晶的制備方法主要有：物理氣相傳輸法（PVT）、頂部籽晶溶液生長法（TSSG）、高溫化學氣相沉積法（HT-CVD）。其中，PVT法具有設備簡單，操作容易控制，設備價格以及運行成本低等優點，成為工業生產[更多]