禁帶

推薦AlN單晶襯底-2英寸不是終點

中國粉體網訊 氮化鋁（AlN）是極具應用潛力的超寬禁帶半導體材料，具有很多優良的性質。其禁帶寬度高達6.2eV，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學和熱穩定性，以及高導熱、抗輻射等優異性能。是紫外/深紫外LED、紫外L[更多]