背景介紹：

目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學(xué)氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。

石墨烯優(yōu)異的電、光、強(qiáng)度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用，但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用的瓶頸之一。

牧科納米技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長時(shí)間的技術(shù)攻關(guān)，不用昂貴的金屬基體，在常見的銅襯底，以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法，成功制備出了100微米到幾個(gè)毫米級六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上，方便取用。

該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量，將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO₂基體上制成場效應(yīng)晶體管，測量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100  cm²V^-1s^-1。

常見的銅基體上生長大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術(shù)的突破，為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。

石墨烯單晶表征數(shù)據(jù)：

2000um級別石墨烯單晶在銅襯底上的光學(xué)顯微鏡照片：