樣品名稱 進口硒化鍺GeSe晶體 性質 半導體帶隙 待實驗確定 參數 純度：＞99.995%尺寸：:~8mm，其他尺寸可定制顏色：黑色 應用 半導體電子器件，傳感器-探測器，非線性光學，STM-AFM實驗，光學器件等研究 其他信息 詳情請發郵件至：mknano@*******, sale@muk*********。      單晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我們實驗室**技術生長。我們生長的每塊單晶耗時3個月左右以保證我們為您提供**晶格的單晶。每塊單晶都是有很好的結晶性，分子層間距有較弱的范德華作用力，層狀結構以保證易于剝離。單層GeSe具有具有很好的光學性質，機械性質和光學性質。      我們實驗室有著進5年的單晶生長經驗，每塊晶體都有很好的可重復性。單晶 GeSe塊體的尺寸可以達到10mm級別，純度可以達到99.995% 甚至更高的純度。單 晶 GeSe 沒有其他的雜相，沒有其他的非晶相。我們的GeSe單晶具有很大的晶疇，可以得到很大的單層。   另外我們還提供免費的機械剝離和轉移技術。