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眉山天樂半導體6英寸SiC襯底片產品標準 6-inch SiC Substrate Specification
序號 Item	等級 Grade	精選級（Z級） Zero MPD Grade	工業級（P級） Production Grade	測試級（D級） Dummy Grade
1.晶體參數 Boule Parameters
1.1	晶型 Polytype	4H-N
1.2	表面晶向偏離度 Surface orientation error	Off axis：4.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.電學參數 Electrical Parameters
2.1	摻雜劑 Dopant	Nitrogen
2.2	電阻率 Resistivity	0.015-0.028Ω·cm
3.機械參數 Mechanical Parameters
3.1	直徑 Diameter	149.5mm-150.0mm
3.2	厚度 Thickness	350μm±15μm	350μm±25μm
		500μm±15μm	500μm±25μm
3.3	主定位邊方向 Primary Flat Orientation	{10-10}±5°
3.4	主定位邊長度 Primary Flat Length	47.5mm±2.0mm
3.5	局部平整度 LTV	≤2.5μm	≤2.5μm	≤5μm
3.6	總厚度變化 TTV	≤5μm	≤5μm	≤15μm
3.7	彎曲度**值 BOW	≤25μm	≤25μm	≤40μm
3.8	翹區度 Warp	≤25μm	≤35μm	≤60μm
3.9	正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) Roughness	Ra≤0.1nm
4.結構 Structure
4.1	微管密度 Micropipe density	≤0.1cm-2	≤0.2cm-2	≤15cm-2
4.3	螺位錯 TSD	≤200cm-2	≤500cm-2	≤1000cm-2
4.4	基平面位錯 BPD	≤400cm-2	≤800cm-2	/
4.5	刃位錯 TED	≤2000cm-2	≤4000cm-2	/
5.正面質量 Front Quality
5.1	表面處理 Surface finish	CMP
5.2	顆粒 Particle
5.3	劃痕 Scratches	None
5.4	缺口/崩邊/裂紋/疵點/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	None
5.5	多晶型 Polytype areas	None	None	Cumulative area ≤3%
5.6	正面激光標記 Front marking	/
6.背面質量 Back Quality
6.1	背面處理 Back finish	CMP
6.2	背面劃痕 Scaratches	None	None	Cumulative length ≤1x wafer diameter
6.3	背面缺口/崩邊 Back defects edge chip/indents	None
6.4	背面粗糙度 Back roughness	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.5 mm
6.5	背面激光標記 Back marking	距離邊緣1mm ( from top edge)
7.邊緣輪廓 Edge
7.1	邊緣輪廓 Edge exclusion	3 mm
8.包裝 Packaging
8.1	激光標記 Laser Marking(carbon side)	Carbon face
8.2	包裝 Packaging	單片或25片包裝
Notes: None means no request.

眉山天樂半導體6英寸SiC襯底片產品標準 6-inch SiC Substrate Specification
序號 Item	等級 Grade	精選級（Z級） Zero MPD Grade	工業級（P級） Production Grade	測試級（D級） Dummy Grade
1.晶體參數 Boule Parameters
1.1	晶型 Polytype	4H-N
1.2	表面晶向偏離度 Surface orientation error	Off axis：4.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.電學參數 Electrical Parameters
2.1	摻雜劑 Dopant	Nitrogen
2.2	電阻率 Resistivity	0.015-0.028Ω·cm
3.機械參數 Mechanical Parameters
3.1	直徑 Diameter	149.5mm-150.0mm
3.2	厚度 Thickness	350μm±15μm	350μm±25μm
		500μm±15μm	500μm±25μm
3.3	主定位邊方向 Primary Flat Orientation	{10-10}±5°
3.4	主定位邊長度 Primary Flat Length	47.5mm±2.0mm
3.5	局部平整度 LTV	≤2.5μm	≤2.5μm	≤5μm
3.6	總厚度變化 TTV	≤5μm	≤5μm	≤15μm
3.7	彎曲度**值 BOW	≤25μm	≤25μm	≤40μm
3.8	翹區度 Warp	≤25μm	≤35μm	≤60μm
3.9	正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) Roughness	Ra≤0.1nm
4.結構 Structure
4.1	微管密度 Micropipe density	≤0.1cm-2	≤0.2cm-2	≤15cm-2
4.3	螺位錯 TSD	≤200cm-2	≤500cm-2	≤1000cm-2
4.4	基平面位錯 BPD	≤400cm-2	≤800cm-2	/
4.5	刃位錯 TED	≤2000cm-2	≤4000cm-2	/
5.正面質量 Front Quality
5.1	表面處理 Surface finish	CMP
5.2	顆粒 Particle
5.3	劃痕 Scratches	None
5.4	缺口/崩邊/裂紋/疵點/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	None
5.5	多晶型 Polytype areas	None	None	Cumulative area ≤3%
5.6	正面激光標記 Front marking	/
6.背面質量 Back Quality
6.1	背面處理 Back finish	CMP
6.2	背面劃痕 Scaratches	None	None	Cumulative length ≤1x wafer diameter
6.3	背面缺口/崩邊 Back defects edge chip/indents	None
6.4	背面粗糙度 Back roughness	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.5 mm
6.5	背面激光標記 Back marking	距離邊緣1mm ( from top edge)
7.邊緣輪廓 Edge
7.1	邊緣輪廓 Edge exclusion	3 mm
8.包裝 Packaging
8.1	激光標記 Laser Marking(carbon side)	Carbon face
8.2	包裝 Packaging	單片或25片包裝
Notes: None means no request.

眉山天樂半導體6英寸SiC襯底片產品標準 6-inch SiC Substrate Specification
序號 Item	等級 Grade	精選級（Z級） Zero MPD Grade	工業級（P級） Production Grade	測試級（D級） Dummy Grade
1.晶體參數 Boule Parameters
1.1	晶型 Polytype	4H-N
1.2	表面晶向偏離度 Surface orientation error	Off axis：4.0°toward <11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.電學參數 Electrical Parameters
2.1	摻雜劑 Dopant	Nitrogen
2.2	電阻率 Resistivity	0.015-0.028Ω·cm
3.機械參數 Mechanical Parameters
3.1	直徑 Diameter	149.5mm-150.0mm
3.2	厚度 Thickness	350μm±15μm	350μm±25μm
		500μm±15μm	500μm±25μm
3.3	主定位邊方向 Primary Flat Orientation	{10-10}±5°
3.4	主定位邊長度 Primary Flat Length	47.5mm±2.0mm
3.5	局部平整度 LTV	≤2.5μm	≤2.5μm	≤5μm
3.6	總厚度變化 TTV	≤5μm	≤5μm	≤15μm
3.7	彎曲度**值 BOW	≤25μm	≤25μm	≤40μm
3.8	翹區度 Warp	≤25μm	≤35μm	≤60μm
3.9	正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) Roughness	Ra≤0.1nm
4.結構 Structure
4.1	微管密度 Micropipe density	≤0.1cm-2	≤0.2cm-2	≤15cm-2
4.3	螺位錯 TSD	≤200cm-2	≤500cm-2	≤1000cm-2
4.4	基平面位錯 BPD	≤400cm-2	≤800cm-2	/
4.5	刃位錯 TED	≤2000cm-2	≤4000cm-2	/
5.正面質量 Front Quality
5.1	表面處理 Surface finish	CMP
5.2	顆粒 Particle
5.3	劃痕 Scratches	None
5.4	缺口/崩邊/裂紋/疵點/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	None
5.5	多晶型 Polytype areas	None	None	Cumulative area ≤3%
5.6	正面激光標記 Front marking	/
6.背面質量 Back Quality
6.1	背面處理 Back finish	CMP
6.2	背面劃痕 Scaratches	None	None	Cumulative length ≤1x wafer diameter
6.3	背面缺口/崩邊 Back defects edge chip/indents	None
6.4	背面粗糙度 Back roughness	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.2 mm	Ra≤0.5 mm
6.5	背面激光標記 Back marking	距離邊緣1mm ( from top edge)
7.邊緣輪廓 Edge
7.1	邊緣輪廓 Edge exclusion	3 mm
8.包裝 Packaging
8.1	激光標記 Laser Marking(carbon side)	Carbon face
8.2	包裝 Packaging	單片或25片包裝
Notes: None means no request.