退火爐主要用于晶體或是晶片在真空環(huán)境中的退火工藝環(huán)節(jié)，消除晶體或晶片內(nèi)部應(yīng)力或缺陷，從而提高晶體或晶片加工性能和品質(zhì)。

性能優(yōu)勢(shì)

1、腔體內(nèi)部經(jīng)鏡面拋光，減少氧化物附著，具有高真空獲得能力與長(zhǎng)時(shí)間保壓能力，可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)工藝方式；

2、控溫精度可達(dá)±0.5℃，實(shí)現(xiàn)橫向和縱向的溫度梯度均≤0.5℃/cm。

晶體尺寸 6 ~ 12英寸 

工藝 退火處理 

加熱方式 電阻式 

基本參數(shù) 主機(jī)尺寸 根據(jù)選型對(duì)應(yīng)不同尺寸 

整機(jī)重量 約2.2 ~2.7T 

支持系統(tǒng) 電     源 容    量 25kVA 

電    壓 AC380V,  3P,  50Hz 

冷 卻 水 壓    力 0.35~0.5MPa 

流    量 ＞120L/min 

工藝氣體 壓    力 ＞0.2MPa 

壓縮空氣 壓    力 0.5 ~ 1.0MPa