采用感應(yīng)加熱方式，在石英管/不銹鋼腔體內(nèi)以物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)高純SiC晶體。

性能優(yōu)勢(shì)

下進(jìn)料方式，利于實(shí)現(xiàn)工廠自動(dòng)化。

熱場(chǎng)旋轉(zhuǎn)，升降式線圈，用于調(diào)整溫度場(chǎng)。

自主研發(fā)異地網(wǎng)絡(luò)遠(yuǎn)程監(jiān)控操作系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)晶過程的全自動(dòng)控制；

分級(jí)權(quán)限，便于工藝參數(shù)管理；

遠(yuǎn)程 控制，實(shí)現(xiàn)無人值守。

溫度、壓力控制的穩(wěn)定性；重復(fù)定位的準(zhǔn)確性；快速抽空及長(zhǎng)時(shí)間真空保壓。

布局緊湊合理，整機(jī)呈框架式結(jié)構(gòu)，將電控箱、加熱電源巧妙集成于一體。

電動(dòng)升降上下料，托盤降至*低位置后可水平移出，電動(dòng)升降爐蓋，省時(shí)省力，安全可靠。

配置兩路真空系統(tǒng)，高精度用于晶體生長(zhǎng)的壓力控制，普通精度用于抽真空。