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SOI硅片
可提供各種規格高質量SOI硅片，及SOI硅片加工定制服務。
SOI wafer尺寸：2”,4”,6”,8”；其他尺寸可定制；
底層厚度：200um-1000um；埋氧層厚度：50nm-10um；頂層厚度：50nm-100um；
導電類型：N-Type、P-Type、非摻高阻；
為滿足更多客戶要求，我們也提供超薄頂層和超薄絕緣層；
常規頂層厚度：70nm、145nm、220nm、340nm等；
常規絕緣層厚度：145nm、500nm等；
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