●該設(shè)備用于納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜和非導(dǎo)電膜等功能薄膜的制備，可實現(xiàn)共濺射，直流、射頻兼容，適于科研院所和企業(yè)進(jìn)行功能薄膜研發(fā)、教學(xué)和新產(chǎn)品開發(fā)，同時可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進(jìn)而達(dá)到表面改性的功能。建議選用公Research系列磁控濺射平臺。

●主體結(jié)構(gòu)：全封閉框架結(jié)構(gòu)，機柜和主機為分體式機構(gòu)。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa，壓升率優(yōu)于國家標(biāo)準(zhǔn)。    

●真空配置：高速直聯(lián)旋片泵一臺，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一臺。

●真空測量：兩路電阻規(guī)，一路電離規(guī)；電阻規(guī)和電離規(guī)均采用防爆型金屬封結(jié)真空規(guī)。