GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。

應用領域

?太赫茲時域系統(tǒng)

?太赫茲源晶體

?中遠紅外氣體探測

?CO2激光的SHG

?THZ實驗光源

?太赫茲成像

產(chǎn)品特點

? 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

? 抗損傷閾值高

? 非線性系數(shù)大

? CO2激光的SHG

? 多種尺寸可選

? 客戶導向的解決方案

? 接受客戶定制服務