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專門為電子束敏感樣品和需**300萬倍穩定觀察的先進半導體器件，高分辨成像所設計。
新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV (SE)
1.2nm / 1kV (SE)
0.34nm / 30kV (STEM)
用改良的高真空性能和****的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
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