主要參數(shù)：

光電子探測(cè)器

9mmx9mm雙軸硅橫向探測(cè)器（默認(rèn)）

4mmx4mm雙軸硅橫向探測(cè)器（可選）

可測(cè)光斑尺寸

50μm

50μm

位置分辨率

<±1μm@(9mmx9mm)

<±0.5μm@(4mmx4mm)

精確度

8±25μm@（氦氖激光器的光束直徑0.8mm）

波長(zhǎng)范圍

350-1100nm

分辨率

高幅值：1μW-250μW，低幅值：10μW-2500μW

功率精確度

±5%

電壓

±18V

電流損耗

200mA

傳輸速率

顯示模式：（數(shù)字）40Hz（單頭）

時(shí)序模式：（數(shù)字）4kHz高達(dá)2000個(gè)儲(chǔ)存模式（位置）8kHz高達(dá)4000個(gè)儲(chǔ)存模式（功率）

模擬模式：**速度30kHz(9mmx9mm)，PSD

**速度60kHz(4mmx4mm)，PSD

響應(yīng)時(shí)間

<20μs(4mmx4mm)，PSD

<60μs(9mmx9mm)，PSD

*小可探偏差（pulsed/CW）

模擬模式：1mW(CW)/5mV(pulsed)

環(huán)境溫度

0℃-50℃