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SDI少數載流子壽命監測儀器已經被廣泛應用于半導體的研究單位與制造企業。目前在世界范圍內已經有超過400臺的SDI設備在使用當中，其非接觸的檢測方式與高精度的檢測數據已經在行業內得到廣泛的承認。其檢測結果快速圖形輸出的特性，可以使用戶簡單直觀的獲得整個晶片的少于載流子壽命及金屬污染的數據信息。
技術參數：
可以非接觸式地測量硅片內部的少數載流子壽命與擴散長。同時可以定量與定性的量測沉降到硅與二氧化硅內部的鐵，銅，鈉等游離的金屬污染。**金屬污染濃度分辨率可以達到1E8的級別。
主要特點：
高金屬污染濃度分別率：1E8
可以對整個硅片進行掃描，給出整個硅片的少數載流子壽命與金屬污染的具體數據并配合圖形
硅片表面有無二氧化硅薄膜不會對測量造成影響
不同型號設備適用于研究院所與生產企業
暫無數據！
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