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前言

氮化鋁(AlN)具有高導熱、絕緣、低膨脹、無磁等優異性能,是半導體、電真空等領域高端裝備的關鍵材料。尤其是進入21世紀以來,隨著微電子技術的飛速發展,電子整機和電子元器件正朝微型化、輕型化、集成化,以及高可靠性和大功率輸出等方向發展,越來越復雜的器件對基片和封裝材料的散熱提出了更高要求,進一步促進了氮化鋁產業的蓬勃發展。

原料技藝

高性能氮化鋁陶瓷,最終拼的是粉體的質量!

高性能氮化鋁陶瓷最終取決于氮化鋁粉體的質量,到目前為止,制備氮化鋁粉體有氧化鋁粉碳熱還原法、鋁粉直接氮化法、化學氣相沉積法、自蔓延高溫合成法等多種方法,各種方法都有其自身的優缺點。

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氮化鋁陶瓷燒結技術大揭秘

燒結過程是氮化鋁陶瓷制備的一個重要階段,直接影響陶瓷的顯微結構如晶粒尺寸與分布、氣孔率和晶界體積分數等,因此燒結技術成為制備高質量氮化鋁陶瓷的關鍵技術。

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氮化鋁陶瓷,兩個關鍵難題,必!須!解!決!

要想提高氮化鋁陶瓷在實際應用中的熱導率,兩個關鍵難題必須解決:一是降低氧雜質原子的存在;二是實現致密燒結。

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氮化鋁陶瓷的三大精密制備技術,一個應用廣,一個最熱門,還有一個缺陷少

中國粉體網將在鄭州舉辦“2021第四屆新型陶瓷技術與產業高峰論壇”。屆時,來自北京科技大學的秦明禮教授帶來題為《高導熱復雜氮化鋁陶瓷制品的精密制造技術》的報告。

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43頁PPT解讀氮化鋁的研究進展

43頁PPT解讀氮化鋁的研究進展

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氮化鋁晶須,一種接近理論熱導率的新材料?

由于晶須很低的雜質含量和很少的晶格缺陷,使其有可能達到或接近理論熱導率以及接近其完整晶體材料理論值的強度和模量。

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氮化鋁陶瓷從高溫到低溫燒結,就差個燒結助劑!

AlN陶瓷材料具有高熱導率、低介電常數、與硅相匹配的熱膨脹系數、高電阻、低密度、熱化學穩定性好、機械性能良好、成本低、無毒等優點,使其在航空航天、大規模集成電路等重要領域的應用有著巨大的優勢,因此受到國內外科研工作者和生產廠家越來越廣泛的重視。

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高導熱氮化鋁基板性能如此出眾,你了解它的燒結工藝嗎

隨著電子技術的迅猛發展,集成電路的散熱性問題逐漸得到重視。高純AlN單晶的熱導率最高可達到319W/(m·K)。其具有高熱導率、高溫絕緣性和優良介電性能、良好耐腐蝕性、與半導體Si相匹配的膨脹性能等優點。因此成為優良的電子封裝散熱材料,能高效地散除大型集成電路的熱量,是組裝大型集成電路所必需的高性能陶瓷基片材料。

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產業透視

氮化鋁,要火!
2021  04-26

隨著集成電路成為了國家戰略性產業,除碳化硅以外,很多半導體材料得以被研究開發,氮化鋁無疑是其中最具有發展前景的半導體材料之一。

氮化鋁粉體國產化替代加速
2023  05-29

中國鋁業集團有限公司所屬中鋁新材料有限公司自主研發生產的高純度超細氮化鋁粉體成功入選《中央企業科技創新成果推薦目錄(2022年版)》。

氮化鋁粉體產業鏈全景圖
2021  11-03

氮化鋁粉體產業鏈全景圖

力爭3~5年實現氮化鋁產品完全國產替代——訪北京科技大學秦明禮教授
2021  10-18

在2021第四屆新型陶瓷技術與產業高峰論壇期間,我們有幸邀請到了北京科技大學的秦明禮教授做客“對話”欄目,一起來聽一聽秦教授聊氮化鋁!

全世界年產量不足1萬噸?高性能氮化鋁粉體制備難在哪里!
2020  10-28

氮化鋁(AlN)陶瓷具有良好的熱性能、電性能、機械性能和化學穩定性,是現今較為理想的基板材料和電子封裝材料。AlN陶瓷的優良性能與原材料粉體的性能有著直接的關系,高性能AlN粉體是制備高熱導率AlN陶瓷的關鍵。

一文了解氮化鋁陶瓷成型工藝、設備及廠家
2021  10-23

成型是為了得到內部均勻和密度高的陶瓷坯體,是氮化鋁陶瓷制備工藝中的重要環節,因為結構陶瓷的成型技術在很大程度上決定了坯體的均勻性和制備復雜形狀部件的能力,并直接影響到陶瓷材料的可靠性和陶瓷零部件的制造效率與成本。

盤點!國內氮化鋁粉體企業一覽
2021  10-16

氮化鋁陶瓷是由氮化鋁粉體燒結而成,高質量粉末原料是獲得高性能氮化鋁陶瓷的先決條件,要制備高導熱的氮化鋁陶瓷,首先需要制備出高純度、細粒度、分散性好和燒結性優的氮化鋁粉末。本篇盤點一下國內生產氮化鋁粉體的部分企業。

為何氮化鋁基板比其它基板貴,且一片難求?
2021  05-17

氮化鋁陶瓷基板價格遠高于其它基板,仍是供不應求甚至“一片難求”,這是為什么呢。

氮化鋁陶瓷產業鏈全景圖
2023  02-17

氮化鋁陶瓷產業鏈全景圖

氮化鋁基板的“大尺寸”難題被這家浙江企業擺平了
2022  11-24

成立于2017年的正天新材通過自主創新,掌握了流延、裁切、沖片、燒結及后道CNC、研磨、拋光、激光切割等完整加工鏈核心技術,在高性能、大尺寸氮化鋁陶瓷基板方面實現了重要突破。

遠遠無法滿足市場需求?氮化鋁陶瓷基板國內生產企業盤點
2021  02-01

近幾年氮化鋁陶瓷基板市場發展迅速,國內有哪些企業生產?

行業應用

氮化鋁屬于典型的第三代半導體材料,是半導體領域一直在“征服”的材料。

氮化鋁:半導體領域一直在“征服”的材料

采用氮化鋁陶瓷替代氧化鋁陶瓷作為靜電吸盤的制造材料將成為趨勢。

氮化鋁在半導體工業中的這一應用將成趨勢,卻鮮有人知……

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優良的新型陶瓷材料,具有優良的熱傳導性,可靠的電絕緣性,低的介電常數和介電損耗,無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良特性,被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。

除了封裝基板材料,氮化鋁陶瓷還有這些應用

隨著半導體行業的發展,AlN作為半導體材料中的主要代表,其所展現出的優異的性能使得其受到極大的重視。由于AlN在自然與科技方面有著許多潛在的優良性能,AlN薄膜也因此備受現代科研工作者的青睞。

氮化鋁薄膜有何特殊之處,如何制備,又有何妙用?

AlN材料具有很高的直接帶隙(6.2eV),是重要的藍光和紫外發光材料;AlN介電常數小,具有良好熱導率、高電阻率和擊穿場強。

尚屬起步階段的AlN半導體,應用前景如何

陶瓷基板具有熱導率高、耐熱性好、熱膨脹系數低、機械強度高、絕緣性好、耐腐蝕、抗輻射等特點,在電子器件封裝中得到廣泛應用。

氮化硅PK氮化鋁,誰才是最具有發展前途的基板材料,你站哪一邊?

企業布局

獲1.8億元投資!福建華清加快氮化鋁陶瓷基板、陶瓷金屬化產品研發生產

近日,國內氮化鋁陶瓷基板龍頭企業福建華清電子材料科技有限公司獲得1.8億元投資,加快氮化鋁陶瓷基板、陶瓷金屬化產品研發生產。

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旭光股份-在軍工和氮化鋁陶瓷領域的雙重布局,集華為、5G芯片、智能電網于一身的低價優質股

旭光股份( 600353 ),現價不到6塊,總市值才30億,而且它具有很多題材。這些題材都是實打實的,具有軍工、華為電視、5G、芯片、一帶一路、智能電網、4K.它的客戶遍布華為、中興、國家電網、軌道交通等業內優質企業。

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旭光電子:2022年凈利同比增長72.76%,有望在氮化鋁陶瓷國產替代進程中搶占先機

旭光電子4月11日晚發布2022年年報,公司2022年實現營業收入11.41億元,同比增長13.36%;實現歸屬于上市公司股東的凈利潤1億元,同比增長72.76%。

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投資超258億元!含碳化硅、氮化鋁等33個項目落戶徐州

2023徐州(北京)投資洽談會在北京舉行,本次活動33個項目現場簽約,協議投資總額達258.8億元。

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比亞迪入股氮化鋁粉體廠商廈門鉅瓷

比亞迪入股氮化鋁粉體廠商廈門鉅瓷。

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德山株式會社將開設氮化鋁填料研究設施

9月20日,德山株式會社宣布將開設氮化鋁填料研究設施。

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清華大學國家863科技成果成功轉化,年產氮化鋁和氮化硅陶瓷基板1020萬片

高性能氮化鋁陶瓷材料項目源于清華大學國家863科技成果,建成后年產氮化鋁基板720萬片,氮化硅基板300萬片。

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旭光電子“大動作”加快電子陶瓷產業轉型升級,涉及氮化鋁、氮化硅!

1月22日,旭光電子發布公告擬募資5.5億元用于氮化鋁、氮化硅陶瓷基板、高溫共燒多層基板等建設。

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解決方案

真空燒結爐(碳化硅/氮化硅/氮化鋁)

該設備可用于陶瓷胚體和制品的反應燒結、無壓燒結、重結晶燒結等,也可用于陶瓷粉體材料的制備。☆采用頂立科技專屬超高溫、大電流引電技術,能在高溫條件下長時間穩定使用;☆采用特殊的高溫紅外測量技術,控溫準確,誤差小;☆配置專屬密封馬弗,產品產生的硅蒸汽等副產物對加熱器及絕緣材料等的污染小;☆采用專用尾氣處

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氮化鋁基板

具有優良的導熱性、較低的介電常數和介質損耗,可靠的絕緣性能;優良的力學性能,無毒,耐高溫,耐化學腐蝕;廣泛應用于通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業,是一種性能優異的電子陶瓷材料

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氮化鋁 氮化鋁粉 納米氮化鋁-中航納米

產品參數產品納米氮化鋁(AlN)產品型號ZH-AlN-01平均粒度mm-um-50nm產品純度99.9%比表面積42.162m2/g理論密度3.050g/cm3松裝密度1.840g/cm3熔點1100℃沸點1800℃晶型近球形外觀米白色蓬松粉末分散性氣相法制備,易于分散液體與高分子材料中備注產品粒度

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氮化鋁陶瓷基板

氮化鋁陶瓷基板具有優良的導熱性、較低的介電常數和介質損耗,可靠的絕緣性能:優良的力學性能,無毒,耐高溫,耐化學腐蝕:公司生產的氮化鋁基板:具有優良的熱學、力學、電學性能,高導熱率、高強度等優異特性。隨著微電子設備的訊猛發展,高導熱氯化鋁基板廣瀆應用于通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業,是一種

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氮化物陶瓷料漿閉式循環噴霧干燥機

氮化物陶瓷料漿閉式循環噴霧干燥機待干燥物料:氮化物陶瓷料漿成型劑:PEG+PVB研磨劑:酒精循環氣體:氮氣料漿固形物含量:40wt%-50wt%料漿溫度:常溫干燥塔進風溫度:170-220℃干燥塔出風溫度:80-90℃產品殘余酒精含量:≤0.5%酒精蒸發能力:≥25kg/h加熱方式:防爆電加熱霧化方

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