2024年3月23日，HORIBA 開放日——半導體材料表征主題研討會在HORIBA 集團全新投資的厚立方大樓(C-CUBE) 成功舉辦。本次研討會由 HORIBA 攜手上海集成電路材料研究院、集成電路材料創新聯合體共同舉辦，吸引了諸多技術專家與前端企業共聚一堂，共同探討光刻膠、寬禁帶材料和光掩膜等關鍵領域的創新發展。

HORIBA半導體材料表征主題研討會現場

會議伊始，日本半導體設備協會專務理事 Kiyoshi WATANABE 先生、上海集成電路材料研究院副總經理、集成電路材料創新聯合體秘書長馮黎女士，以及 HORIBA 前沿應用開發中心總監沈婧博士分別發表歡迎致辭。他們強調了半導體材料表征在推動產業進步中的重要作用，并期待通過本次研討會能夠匯聚各方智慧，共同推動半導體產業創新。

三位嘉賓發表開場致辭。

日本半導體設備協會的 Kiyoshi WATANABE 先生

通過線上方式歡迎嘉賓蒞臨。

作為現代電子技術的核心領域，半導體工業的發展離不開量測手段、創新研發、材料表征以及檢測方法的支持。為此，HORIBA 精心安排了四位講師就這四個維度進行了深入分享。首先，HORIBA 集團半導體全球業務負責人 Ramdane BENFERHAT 博士介紹了 HORIBA 在半導體產業材料表征及制程監控的能力，他還特別強調了公司在光刻膠、寬禁帶半導體和光掩膜等材料領域的解決方案，這些方案有望為半導體企業提速增效提供有力支持。

Ramdane BENFERHAT 博士指出，隨著 AI 智能、高速快充及新能源汽車等新興應用快速發展，

半導體解決方案的不斷優化創新正是產業發展的強勁動力。

在半導體解決方案多樣化需求的驅動下，集成電路材料的創新研發前景令人欣喜。來自上海集成電路材料研究院的黃嘉曄博士緊接著為來賓們介紹了集成電路材料的現狀，同時他強調了合作與開放的重要性，呼吁各方加強交流與合作，共同推動半導體產業的繁榮發展。

上海集成電路材料研究院的黃嘉曄博士表示，上海集成電路材料研究院作為聚焦于集成電路材料的創新研發平臺，

以全面、客觀、高效的材料研發創新為目標，

為產業發展保駕護航。

短暫的茶歇后，來賓們帶著對創新研發平臺的期待，共同探討了寬禁帶半導體材料的熱點話題——碳化硅單晶的缺陷表征。浙江大學杭州國際科創中心的研究員王蓉教授詳細介紹了拉曼光譜對分析碳化硅晶型、應力分布、摻雜濃度的重要意義以及光致發光技術對碳化硅缺陷分析的重要作用，為研究人員豐富了碳化硅缺陷表征的思路。

王蓉教授指出，精準的缺陷表征技術可以實現對碳化硅單晶性能的優化和提升，進而推動半導體產業的進步。

了解了半導體材料的調控方法后，如何對材料進行準確的檢測更是保證產品質量的關鍵。上海集成電路材料研究院的劉國林博士就集成電路材料檢測標準方法進行了深入講解。

劉國林博士為現場觀眾系統介紹了集成電路材料的物理和化學檢測方法，并展示了集成電路材料研究院的檢測能力與實例。

四位講師的精彩報告過后，來賓們在工作人員的引導下參觀了厚立方（C-CUBE）。位于二樓的前沿應用開發中心（Analytical Solution Plaza，簡稱ASP），是 HORIBA 依托資深的專業技術團隊，致力于與中國用戶深化合作、協同創新、探索解決方案而打造的綜合平臺，也是本次參觀的重點。在 ASP 應用專家團隊的精彩講解下，多款分析檢測儀器給來賓們留下了深刻印象，為未來多方合作奠定了基礎。例如，在半導體材料表征階段，拉曼光譜儀能為結晶度/分子濃度、缺陷/雜質分析、應力和化學組成等提供檢測支持；熒光光譜儀則為材料禁帶寬度提供了快速精準的結果。此外，氧氮氫分析儀、輝光放電光譜儀以及X射線熒光顯微分析儀，為元素分析提供了多元化的解決方案；橢圓偏振光譜儀不僅能夠檢測膜厚，還能對光刻膠進行表征；光掩模顆粒檢測系統（PD Xpadion）則能快速對光罩進行精準而全面的顆粒掃描，為工程師顆粒監控提供便利。粒度儀能夠對 CMP 漿料進行顆粒分析，精準表征工作顆粒的尺寸和分布。

ASP 內的多款儀器能為半導體材料與制程監控

提供強有力的技術支持

厚立方（C-CUBE）參觀活動

充分展現 HORIBA 的技術實力與團隊風采

本次由 HORIBA 與上海集成電路材料研究院、集成電路材料創新聯合體聯合舉辦的研討會不僅為業內專家和企業搭建了一個交流的平臺，更為半導體產業的蓬勃發展注入了活力。與會者紛紛表示收獲頗豐，結識了眾多志同道合的伙伴，為未來的合作與發展牢筑了基石。

現場氣氛熱烈，來賓們互相交流學習，收獲頗豐。

展望未來，半導體產業將在各方共同努力下持續快速發展，HORIBA 也將繼續通過一系列開放日活動，為更多國內研發機構及前端企業提供卓越的技術支持與服務，讓我們一起“分析見世界，合作創未來“！

大家合影留念，記錄下本次研討會圓滿落幕的珍貴瞬間