中國粉體網(wǎng)訊 近日，山東旌丞新材料科技有限公司（以下簡稱：旌丞新材）發(fā)布消息，經(jīng)過多年的研發(fā)積累及多輪次客戶驗(yàn)證，旌丞新材電子級高純碳化硅部件（＞4N）及QCVD高純碳化硅涂層(＞6N)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，擬在山東濟(jì)南進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化建設(shè)，項(xiàng)目一期投資10億元，擬于2025年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
碳化硅陶瓷：半導(dǎo)體制程中離不開的材料
碳化硅（SiC）作為重要的高端精密半導(dǎo)體材料，由于具有良好的耐高溫、耐腐蝕性、耐磨性、高溫力學(xué)性、抗氧化性等特性，在半導(dǎo)體、核能、國防及空間技術(shù)等高科技領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高，因此碳化硅陶瓷作為一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料在半導(dǎo)體設(shè)備中有廣泛的應(yīng)用。例如在研磨拋光吸盤、光刻吸盤、檢測吸盤、精密運(yùn)動平臺、刻蝕環(huán)節(jié)的高純碳化硅部件、封裝檢測環(huán)節(jié)中精密運(yùn)動系統(tǒng)等等，作用極其重要。
此外，SiC涂層作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的常用耗材，主要用于襯底、外延、氧化擴(kuò)散、刻蝕和離子注入等環(huán)節(jié)。不同材質(zhì)的外延爐需要不同性能指標(biāo)的石墨托盤，石墨材料的熱膨脹系數(shù)匹配要求適應(yīng)外延爐生長溫度，例如碳化硅生長外延的溫度較高，需要熱膨脹系數(shù)匹配度高的托盤。SiC的熱膨脹系數(shù)與石墨的熱膨脹系數(shù)相差很小，適合作為石墨基座表面涂層的首選材料。
關(guān)于旌丞新材
旌丞新材成立于2024年，主要從事軍民兩用高端復(fù)合材料產(chǎn)品、先進(jìn)陶瓷材料零部件的研發(fā)、制造、銷售、服務(wù)以及泛半導(dǎo)體設(shè)備表面處理服務(wù)，擁有由超高分子量聚乙烯纖維、碳化硅、氧化鋁、氧化鋯等材料組成的先進(jìn)陶瓷基礎(chǔ)材料體系，是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備用先進(jìn)陶瓷材料零部件的方案解決企業(yè)。
公司主要產(chǎn)品有超高分子量聚乙烯纖維防彈板、網(wǎng)繩、無傘空投產(chǎn)品及軍民兩用防護(hù)產(chǎn)品；應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、電子（包括鋰電池）材料粉體粉碎和分級、燃料電池制造、化工環(huán)保、汽車制造、生物醫(yī)藥以及傳統(tǒng)的紡織造紙等領(lǐng)域的設(shè)備和生產(chǎn)過程中的先進(jìn)陶瓷材料零部件產(chǎn)品；國內(nèi)領(lǐng)先的泛半導(dǎo)體設(shè)備表面處理服務(wù)等。
官網(wǎng)顯示，目前公司核心項(xiàng)目集中在碳陶剎車片和碳化硅材料的研發(fā)與應(yīng)用上。2024年12月，公司成功研制出一種低成本短纖碳陶剎車盤，該剎車盤采用了先進(jìn)的短纖維增強(qiáng)技術(shù)，不僅提高了材料的強(qiáng)度和耐熱性，而且大幅度降低了生產(chǎn)成本。
來源：旌丞新材官網(wǎng)、山東半導(dǎo)體商會
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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