中國粉體網訊 在當今科技格局下，集成電路作為國家戰略性新興產業，已然成為中美科技競爭的核心要點。近年來，隨著電子器件性能的迅猛發展，高效傳導集成電路芯片（如CPU和GPU）所產生的熱量，對于保障系統持續、穩定且平穩運行起著至關重要的作用。而以硅為核心的傳統半導體領域，在面對高功率密度、高頻、高溫、高輻射等條件時，遭遇了發展瓶頸。于是，探尋高傳熱性能的散熱材料成為當下研究領域的焦點所在。
黃河旋風在2024年5月取得了重大突破，成功研制出CVD多晶金剛石熱沉片。該產品直徑達2英寸，厚度在0.3至1mm之間，熱導率更是超過2000W/m·K，精準觸及金剛石的理論熱導率值。經過雙面拋光處理后，其表面粗糙度Ra小于4nm，翹曲度低于2μm。這一卓越品質不僅優于國外同類產品，更使黃河旋風在該領域占據領先地位。
圖源：黃河旋風公眾號
金剛石自身具備諸多卓越特性，其導熱性能出類拔萃，電子遷移率極高，同時兼具耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫等優異的物理特質，堪稱自然界中熱導率最高的熱沉材料。與Si、SiC和GaN等半導體材料相比，金剛石優勢盡顯。例如，金剛石的熱導率高達2200W/m·K，足足是Si材料的10倍有余；相較于GaN，金剛石的載流子遷移率和擊穿電場更為出色。正因如此，金剛石無疑是理想的熱沉材料。從當前各種材料的研究成果對比來看，無論是單晶金剛石，還是多晶金剛石薄膜，其熱導率都遠超其他襯底材料。故而，將單晶金剛石或多晶金剛石薄膜用作熱沉材料，以增強半導體器件的散熱能力，已成為業內廣泛認可的未來散熱方案之一。
回顧黃河旋風的研發歷程，早在 2023年5月便啟動了“面向高端應用場景的 CVD多晶金剛石薄膜開發”項目。為此，籌建了專門用于穩定生長多晶金剛石薄膜的潔凈實驗室，配備了MPCVD設備運行所需的各類設施，精心設計了適用于多晶金剛石薄膜生長的獨特結構，成功攻克了熱沉級CVD多晶薄膜從設備穩定運行、生長工藝設計與優化、生長襯底的剝離，到大直徑金剛石薄膜加工易出現翹曲及碎裂、拋光效率與質量等多方面的技術難題。
圖源：黃河旋風公眾號
在2024年11月11日，黃河旋風與廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院攜手合作，共同成立了集成電路熱控聯合實驗室。雙方將聚焦于5G/6G、AI以及相控陣雷達領域芯片散熱的棘手難題，深入開展基于金剛石材料的集成散熱應用創新研究。黃河旋風所提供的多晶金剛石熱沉片，為聯合實驗室開展“集成電路用金剛石材料研發和示范應用”項目的突破提供了堅實有力的保障。
作為功能材料，金剛石在熱學、光學、電學及量子特性方面仍在持續深入開發。以金剛石應用為核心的熱管理材料、光學材料、力學及聲學材料、半導體材料，展現出顯著的優勢與巨大的發展潛力，在現代高科技領域以及國防工業中發揮著舉足輕重的作用，正逐步演變為國際競爭的全新熱點。基于這些卓越表現，金剛石半導體被視作極具發展前景的新型半導體材料，在業界享有“終極半導體材料”的盛譽。
未來，黃河旋風將著力開展直徑3英寸及光學級CVD多晶金剛石薄膜的開發工作，并積極籌建CVD多晶金剛石檢測中心，全力推進CVD金剛石薄膜在熱學、光學、電學、聲學和電化學等多方面的廣泛應用，為科技進步持續貢獻力量。
參考來源：
黃河旋風官網、公眾號
（中國粉體網編輯整理/留白）
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