中國粉體網訊 隨著半導體技術的飛速發展，材料創新成為突破性能瓶頸的關鍵。金剛石憑借其卓越的硬度、導熱性及潛在的半導體特性，在半導體產業鏈中的多個環節中已展現出巨大的發展潛力和應用價值。其中，金剛石微粉作為磨拋料，以其超精密加工能力，顯著提升了半導體晶片的表面質量和生產效率，成為半導體制造不可或缺的一環。
從2024半導體行業用金剛石材料技術大會組委會獲悉，本屆會議將于2024年12月24日在鄭州舉辦。山東力冠微電子裝備有限公司將出席本次大會，現場交流前沿技術、市場。
企業介紹
山東力冠微電子裝備有限公司成立于2013年，同年6月正式成為中國電子專用設備工業協會會員；2018年11月，被山東省科技廳認定為“高新技術企業”；2019年3月被第三代半導體產業技術創新戰略聯盟評為副理事長單位，同年9月榮獲中國創新創業大賽·國際第三代半導體專業賽優勝獎；2022年、2023年分別被山東省工信廳認定為“創新型中小企業”與“專精特新中小企業”。
作為一家國家高新技術企業，公司常年與國內知名半導體企業、科研院校等保持密切合作，公司產品涵蓋第一代至第四代半導體材料工藝裝備，均擁有自主知識產權，完全自主可控，被廣泛應用于集成電路、功率半導體、化合物半導體、5G芯片、光通信、MEMS等新型電子器件制造領域。經過十年的發展，已成為一家集研發、生產、銷售為一體的半導體材料工藝裝備制造商。
部分產品介紹
1、液相法SiC長晶爐設備
產品概述液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現晶體的生長。
產品特點
晶體尺寸:6/8英寸
溫度范圍：溫度1500-2100℃
真空度:1*10-3pa
提拉/坩堝桿：升降0.2-400mm/h，旋轉0.5-50rpm
稱重：6kg 精度：0.01g
2、LPCVD 臥式爐管設備
產品概述
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長。
產品特點
裝載采用碳化硅(SiC)懸臂槳，避免了與工藝管磨擦產生粉塵
溫度控制采用串級控制方式，對基片實際溫度進行實時智能控制
工作壓力閉環自動控制，提高工藝穩定性和重復性
可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺
技術指標
晶片尺寸：6/8英寸晶圓
制程溫度范圍：500°C-900°C
恒溫區長度：≥800mm
控溫精度：±1°C
3、MPCVD設備
產品概述
本設備主要是用于制備單晶金剛石。可激發高穩定度的等離子團，從而確保單晶生長的持續性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
技術指標
測溫: 300-1500°C
極限真空：≤10Pa
氣路系統: 6路
壓力范圍: 5-300Torr
微波功率: 0.5-15Kw連續可調
功率穩定性:<2%
波紋:≤1%
微波頻率: 2450MHz士50MHz
微波泄露值:<5Mw/cm²
放電區域:≥100mm
沉積區域:≥80mm
生長速率: >12um
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會務組
聯系人：劉文寶
電 話：13693335961（同微信）
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